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IR宇航和國防耐輻射MOSFET(1)

**和空間應用為今天的系統(tǒng)設計者提出了一項獨特的挑戰(zhàn)。空間硬件必須在極端環(huán)境條件下運行，包括暴露于嚴酷的離子放射中，這使得耐輻射組件的使用成為必要。IR**以其特有的耐輻射MOSFET工藝，應對這一挑戰(zhàn)已經(jīng)超過20年。從1985年**個耐輻射MOSFET的推出，到*新一代的器件，IR不斷地超越著工程師們的期望。
圣馬電源專業(yè)代理IR公司IRFF,IRFY，IRHY，IRF5Y，IRFM,IRHM，IRHN,JANS,JANTX,JTATXV系列**二三極管及宇航級功率管，產(chǎn)品成功應用于**科技、航天工業(yè)、雷達系統(tǒng)、船舶工業(yè)、自動控制、儀器儀表等高科技市場。

Gen IV

60V-600V
N/P-溝道
100K-1000K 輻射

30V-250V
N/P-溝道
100K-1000K輻射

100V-1,000V
N-溝道
100K-300K輻射

R7 邏輯層

60V-250V
N/P-溝道
100K-300K輻射

更高效功率電子的趨勢，包括直流-直流轉(zhuǎn)換器和電機控制器，對于**和空間硬件也同樣適用。IR的*新一代耐輻射MOSFET可以應對這種挑戰(zhàn)，因為它提供了**的單事件影響（SEE）和總離子量（TID）性能。IR的R7系列是**個帶有邏輯層閾電壓的耐輻射MOSFET.耐輻射MOSFET的R6系列可在實現(xiàn)10倍SEE改進的情況下，對Rds(on)也加以改進。

R6 耐輻射MOSFETs	R7 耐輻射邏輯級MOSFETs　　　 R6 耐輻射MOSFETs
可靠性屏蔽	放射性試驗
封裝	產(chǎn)品型號
QPL 耐輻射MOSFETs

R6?系列
國際整流器公司的R6?技術為空間應用提供了超級的功率MOSFET。這些器件對抗單事件影響（SEE）的能力。它們結合了非常低的RDS(on)和更快的轉(zhuǎn)換時間，在目前的高速切換應用中減小了功率散失，如直流-直流轉(zhuǎn)換器和電機控制器。
特性
提高系統(tǒng)效能2.5%*
降低MOSFET功率散失30%*
降低RDS(on)*高達40%
抗SEE能力達到90MeV的LET
300千拉德 (Si)TID定額
* 與前一代器件相比

R6 產(chǎn)品清單

Part	BVDSS	RDS(on) @ 25C (pre-Irradiation)	ID @ 25C (A)	ID @ 100C (A)	Total Dose	Optional Total Dose Ratings	Power Dissipation (W)
IRHNA67260	200	0.028	63	40	100	300	250
IRHNJ67C30	600	2.90	3.4	2.2	100	300	75
IRHNJ67234	250	0.210	12.4	7.8	100	300	75
IRHNJ67134	150	0.088	19	12	100	300	75
IRHNA67160	100	0.010	56	56	100	300	250
IRHY67C30CM	600	3.00	3.4	2.1	100	300	75
IRHYS67134CM	150	0.09	19	12	100	300	75
IRHNJ67130	100	0.042	22	19	100	300	75
IRHYS67230CM	200	0.13	16	10	100	300	75
IRHYS67234CM	250	0.22	12	7.6	100	300	75
IRHYB67130CM	100	0.042	20	19	100	300	75
IRHMS67164	150	0.019	45	44	100	300	208
IRHNA67264	250	0.040	50	31.5	100	300	250
IRHMS67160	100	0.011	45	45	100	300	208
IRHYS67130CM	100	0.042	20	19	100	300	75
IRHMS67260	200	0.029	45	35	100	300	208
IRHMS67264	250	0.041	45	28.5	100	300	208
IRHYB67134CM	150	0.09	19	12	100	300	75
IRHNA67164	150	0.018	56	49	100	300	250
IRHYB67230CM	200	0.13	16	10	100	300	75
IRHNJ67230	200	0.13	16	10	100	300	75

R7?邏輯級系列
國際整流器R7?邏輯級MOSFET，為空間和其他輻射環(huán)境中的功率元件接口CMOS和TTL控制電路提供了簡單的解決方案。在*高溫度和過度輻射條件下，閾電壓仍保留在可接受運行極限內(nèi)。這是在保持單粒子柵穿（SEGR）和單粒子燒毀（SEB）耐力的情況下實現(xiàn)的。這些器件應用有同步降壓轉(zhuǎn)換器、LDO中的線性旁路元件，以及2N2222和 2N2907晶體管中的替換件。
特性
邏輯級的 CMOS和TTL兼容輸入
簡單驅(qū)動需求
快速切換
SEE抗力達到82MeV的LET
100K and 300K拉德(Si)的TID定額
R7 產(chǎn)品清單

Part	Package	Polarity	BVDSS	RDS(on) @ 25C (pre-Irradiation)	ID @ 25C (A)	ID @ 100C (A)	Total Dose	Optional Total Dose Ratings	Power Dissipation (W)
IRHLYS77034CM	TO-257AA Low Ohmic	N	60	0.045	20	20	100	300	75
IRHLF770Z4	TO-205AF	N	60	0.5	1.6	1	100	300	5
IRHLF7970Z4	TO-205AF	P	-60	1.2	-1.6	-1.0	100	300	5
IRHLNJ797034	SMD-0.5	P	-60	0.072	-22	-14.9	100	300	57
IRHLNA797064	SMD-2	P	-60	0.015	-56.0	-56	100	300	250
IRHLF77110	TO-205AF	N	100	0.30	6.0	3.7	100	300	23
IRHLUB7970Z4	UB	P	-60	1.3	-0.53	-0.33	100	300	0.6
IRHLNA77064	SMD-2	N	60	0.012	56	56	100	300	250
IRHLUB770Z4	UB	N	60	0.55	0.8	0.5	100	300	0.6
IRHLNJ77034	SMD-0.5	N	60	0.035	22	20	100	300	57
IRHLYS797034CM	TO-257AA Low Ohmic	P	-60	0.072	-20	-17	100	300	75
IRHLF77214	TO-205AF	N	250	1.0	3.3	2.1	100	300	23

更多信息，請查閱此產(chǎn)品規(guī)格書或致電圣馬電源技術部電話：0755-83562355-35咨詢，謝謝！

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IR宇航和國防耐輻射MOSFET(1)